型号:DDTB114GC-7-F | 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 制造商:Diodes Inc |
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 描述:TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
---|---|
描述 | TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 500mA |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
电阻器_基极(R1)111欧222 | - |
电阻器_发射极(R2)111欧222 | 10k |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 56 @ 5mA,5V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
频率_转换 | 200MHz |
功率_最大 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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