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电子元器件详细资料 » IC[15803] » DDTB114GC-7-F
型号:DDTB114GC-7-F类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式制造商:Diodes Inc
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3
系列-
制造商Diodes Inc
晶体管类型PNP - 预偏压
电流_集电极(Ic)111最大222500mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧222-
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)56 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222300mV @ 2.5mA,50mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换200MHz
功率_最大200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
深圳市芯满林科技有限公司夏小姐18926544209/18025435189
北京人上科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
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深圳市科雨电子有限公司卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷171-4729-0036(微信同号)
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DDTB114GC-7-F相关型号

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